Gallium-foszfid polírozó oldat
Bevezetés
A gallium-foszfid (GaP), mint második{0}}generációs összetett félvezető anyag, egyedülálló fizikai és optikai tulajdonságai miatt jelentős pozíciót foglal el az optoelektronika és a mikroelektronika területén. Nagy vivőmobilitást, kiváló termikus stabilitást és a gallium-arzenid (GaAs) és a gallium-nitrid (GaN) direkt/indirekt sávszélességei közötti sávszélesség-jellemzőt kínál. Széles körben használják nagy-hatékonyságú fénykibocsátó diódákban (LED-ek), lézerdiódákban, nagy sebességű fotoelektromos eszközökben és{6}}nagy fényerejű kijelzőkben. A GaP kristályok azonban kemények és törékenyek, eltérő hasítási síkkal. A GaP szubsztrátum és az eszköz felületének precíziós polírozási minősége közvetlenül meghatározza az epitaxiális növekedés minőségét és a végső eszköz fotoelektromos konverziós hatékonyságát és megbízhatóságát.
A Hemei Company alapos szakértelemmel rendelkezik az összetett félvezető anyagok feldolgozásában. A GaP anyagjellemzők mélyreható ismeretét kihasználva kifejlesztettünk egy polírozási és síkosítási megoldást, amely egyensúlyt teremt a magas anyageltávolítási sebesség és a kivételes felületi integritás között. Ez az eljárás nagy-precíziós felületkezelést tesz lehetővé a szubsztrátum szakaszától az utó-epitaxiális eszközfeldolgozásig, biztosítva, hogy megfeleljen a csúcskategóriás fotoelektromos eszközök szigorú követelményeinek, az atomosan sima felületek, az ultra-alacsony károsodási rétegek és a tökéletes rácsintegritás érdekében.
Alkalmazási követelmények
A GaP anyagok polírozásának és felületkezelésének céljai a következők:
A felületi érdesség (Ra) csökkentése a<0.5 nm to ensure high-quality epitaxial growth and low optical scattering loss.
Felületi síkság elérése legfeljebb 1 μm teljes vastagságvariációval (TTV), és ezt az értéket meghaladó helyi vastagságvariációval (LTV).
Karcolásoktól, mikro-repedésektől és felület alatti sérülésektől mentes felületek készítése
A folyamatkompatibilitás biztosítása mind a félig{0}}szigetelő, mind a vezetőképes GaP hordozókkal, 2 hüvelyk és 6 hüvelyk közötti szeletméretek támogatásával.
E célok elérése érdekében a Hemei-eljárás testreszabott ragasztórendszereket és több-lépéses polírozási folyamatot alkalmaz, amely garantálja a geometriai pontosságot és a felület integritását a megmunkálási folyamat során.
A rendszer specifikációi
A Hemei moduláris polírozó rendszere támogatja a különböző méretű és alakú GaP ostyák/kristályok feldolgozását. Az alaprendszer a következőket tartalmazza:
HSM{0}}L/LP sorozatú fúróberendezés: kezdeti anyageltávolításra és vastagságszabályozásra szolgál.
HSM-CMP sorozatú kémiai mechanikai polírozó rendszer: Ultra-sima, sérülés-mentes felületek eléréséhez.
Főbb alrendszerek:
Wafer/Crystal{0}}specific Bonding Unit (WB).
SJ/ASJ sorozatú precíziós polírozó rögzítők.
C-ASJ meghajtófejű nagy sebességű-polírozó rendszer.
Folyamatfolyamat
Ragasztás és szerelés: A GaP mintát ideiglenesen egy hordozólemezhez kell ragasztani a WB kötőegység segítségével, majd fel kell szerelni a polírozó szerelvényre.
Rough and Intermediate Polishing: Controlled lapping is performed on the HSM-L equipment to remove the machining damage layer.
Finomfényezés: A HSM{0}}CMP rendszert használják a végső polírozáshoz. Az olyan paraméterek, mint a nyomás, a forgási sebesség és a szuszpenzió áramlási sebessége, valós időben{2}}beállíthatók a nanoméretű felületi simaság elérése érdekében.
Tipikus eredmények
Felületi érdesség Ra < 0,5 nm
Teljes vastagságváltozás (TTV) legfeljebb 1 μm, helyi vastagságváltozás (LTV) kisebb vagy egyenlő, mint 0,3 μm
Stabil és szabályozható anyageltávolítási sebesség; tipikus eltávolítási sebesség finompolírozás során 0,1-0,5 μm/perc (állítható).
Alkalmas 4 hüvelyk vagy annál kisebb átmérőjű GaP lapkákhoz.
Összegzés
A Hemei Company teljes és megbízható polírozási és síkosítási megoldást kínál gallium-foszfid (GaP) anyagokhoz. Ez a megoldás folyamatosan atom-szintű felületi minőséget és kiváló fotoelektromos teljesítményt biztosít, támogatva a GaP iparosításának előrehaladását és az eszközök teljesítményének javítását olyan csúcskategóriás területeken, mint az 5G kommunikáció, a fotoelektromos eszközök, a műholdas hasznos terhelés és a nagy sebességű{4} elektronika.
