Szilícium-karbid (SiC)
A szilícium-karbid (SiC) egy harmadik -generációs széles-sávú félvezető anyag, amelyet nagy áttörési elektromos tere, nagy hővezető képessége, nagy elektrontelítési sodródási sebessége, valamint kiváló kémiai és termikus stabilitása jellemez. Széles körben használják teljesítményelektronikában, rádiófrekvenciás eszközökben, elektromos járművekben, 5G kommunikációban, ipari tápegységekben, repülésben és más területeken. Kemény és törékeny természete miatt a precíziós megmunkálás kritikus lépés a nagy teljesítményű{5}}eszközök gyártásában.
A Hemei Company mélyreható műszaki szakértelemmel rendelkezik a kemény és törékeny anyagok precíziós megmunkálásában. Kifejezetten SiC anyagokhoz fejlesztettünk ki egy hatékony és stabil polírozási és síkosítási eljárást. Ez a folyamat lehetővé teszi a teljesen szabályozható megmunkálást az aljzat előkészítésétől az eszközszintű felületkezelésig, és megfelel a SiC szigorú felületminőségi követelményeinek olyan csúcskategóriás alkalmazásokban, mint a teljesítménymodulok és a mikrohullámú RF eszközök.
Alkalmazási követelmények
A SiC anyagok polírozásának és felületkezelésének céljai a következők:
A felületi érdesség (Ra) csökkentése <0,5 nm-re.
Felületi síkság (TTV) elérése 1 μm-nél kisebb vagy azzal egyenlő, a helyi síkság (LTV) pedig jobb, mint ez az érték.
Karcolásoktól, mikro-repedésektől és felszín alatti-sérülésektől mentes felületek létrehozása, hogy megfeleljen az eszköz-szintű elektromos teljesítmény követelményeinek.
Kompatibilitás különféle politípusokkal, például 4H-SiC és 6H-SiC, támogatja a 4 hüvelykes és 8 hüvelykes átmérőjű lapkák feldolgozását.
E célok elérése érdekében a Hemei folyamata testreszabott ragasztórendszereket és több-lépéses polírozási eljárásokat alkalmaz, biztosítva a geometriai pontosságot és a felület integritását a feldolgozás során.
A rendszer specifikációi
A Hemei moduláris polírozó rendszerei különböző méretű és alakú SiC lapkák/kristályok feldolgozását támogatják. Az alaprendszerek a következők:
HSM{0}}L/LP sorozatú átlapoló berendezés: kezdeti anyageltávolításra és vastagságszabályozásra szolgál.
HSM-CMP sorozatú kémiai mechanikai polírozórendszerek: Ultra-sima, sérülés-mentes felületek készítésére szolgál.
Főbb alrendszerek:
Wafer/Crystal{0}}specific Bonding Unit (WB).
SJ/ASJ sorozatú precíziós polírozó rögzítők.
C-ASJ meghajtófejű nagy sebességű-polírozó rendszer.
Folyamatfolyamat
Bonding and Mounting: The SiC sample is temporarily bonded to a carrier plate using the WB bonding unit and then mounted onto the polishing fixture.
Rough and Intermediate Polishing: Controlled grinding is performed on the HSM-L equipment to remove the process-affected layer.
Finom polírozás: A végső polírozás a HSM{0}}CMP rendszerrel történik. Az olyan paraméterek, mint a nyomás, a forgási sebesség és a szuszpenzió áramlási sebessége, valós időben{2}}beállíthatók a nano-szintű felületi simaság elérése érdekében.
Tipikus eredmények
Felületi érdesség Ra < 0,5 nm.
Teljes vastagságváltozás (TTV) legfeljebb 1 μm, helyi vastagságváltozás (LTV) kisebb vagy egyenlő, mint 0,3 μm.
Anyageltávolítási sebesség: 0.5 - 2 μm/perc (állítható).
Alkalmas 8 hüvelyk vagy annál kisebb átmérőjű SiC lapkákhoz, amelyek támogatják az olyan általános politípusokat, mint a 4H/6H-SiC.
Összegzés
A Hemei Company teljes körű és megbízható polírozási és síkosítási megoldást kínál a szilícium-karbid anyagokhoz. Ez a megoldás következetesen nano{1}}szintű felületminőséget és magas elektromos teljesítményt biztosít, ezáltal támogatja az iparosítást és a SiC eszközök teljesítményének javítását olyan csúcskategóriás területeken, mint az erősáramú elektronika, a rádiófrekvenciás kommunikáció és az új energetikai járművek.
